学術論文
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Observation of Residual-Type Thin Absorber Defect on Extreme Ultraviolet Lithography Mask Using an Extreme Ultraviolet Microscope
EUVリソグラフィマスク上の吸収体パターンの欠陥を修復するために電子ビームを用いた局所エッチング技術が検討されている。この論文では、マスクを構成する多層膜ミラー上に残った薄い吸収体膜に対するパターンコントラストの影響を調べた。多層膜ミラー上に、様々な残留吸収膜を製作し、実波長マスクパターン検査ツールである極紫外線（EUV）顕微鏡を用いて検査した。その結果、ハーフピッチ225nmの格子パターン上に僅かな残膜(厚さ2.9nm)がある場合にEUVリソグラフィマスク上の吸収体パターンの欠陥を修復するために電子ビー
学術論文
T. Amano, S. Iida, R. Hirano, T. Terasawa, H. Watanabe, K. Yamasoe, M. Toyoda, A. Tokimasa, T. Harada, T. Watanabe, H. Kinoshita)
2013/04
Appl. Phys. Express
6 (2013)
046501
2013
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