本論文では、種々のプログラム位相欠陥を持つEUVLマスクを作製・評価して位相欠陥の成長の形態を研究した。TEM観察により、MLの底面から始まるライン型位相欠陥は、MLの上面に向かって伝搬し、EUVブランクの中心に向かって傾斜していることが明らかとなった。 EUVブランクの中心から0mmと66mmの距離では、傾斜角度は0〜4degの範囲で変化した。また、AFMによって測定された吸収線に対する位相欠陥の位置が同じであっても、EUV顕微鏡では欠陥成長の傾斜角の違いが像に大きく影響することが明らかとなった。