吸収体パターン上の位相欠陥がウエハ上に縮小露光された際の影響を明らかにするため、プログラムされた位相欠陥マスクを作製し、極端紫外（EUV）顕微鏡を用いて、マスクの実波長観察を行った。マスクには、ハーフピッチ64 nmの格子パターンとともにプログラムされた位相欠陥を作製した。EUV顕微鏡は、位相欠陥のない場合の画像強度と比較して、17％を超える光強度損失でこれらの位相欠陥を識別することができた。これよりEUV顕微鏡は、位相欠陥の存在、およびウエハへの露光後の影響予測に有用であることが明らかとなった。