変調パルス電力マグネトロン スパッタリング（MPPMS）では、イオン対中性比率（Ri/n）が重要な指標と考えられている。Ri/nを明らかにするためのプラズマ診断法の確立を目的として、こ れまで行ってきた発光分光計測（OES）に加え、新たに飛行時間型質量分析法（TOFMS）の導入を図り、プラズマ領域（OES）および成膜領域（TOFMS）での生成粒子の成分分析を行 なった。