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Matter
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Basic information
Name
SATOH Toshifumi
Start Date
2006-11
End Date
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Matter
二次元デバイスシミュレーションを用いたｐ-チャネル低温Poly-Si TFTの素子特性劣化の解析
Summary
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薄膜材料デバイス研究会第3回研究集会「薄膜デバイスの新展開」
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山形昌広、佐藤利文、丹呉浩侑
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奈良
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2006
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